[发明专利]一种硅膜压阻压力传感器的制造方法及其传感器无效
| 申请号： | 90104145.9 | 申请日： | 1990-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1027519C | 公开（公告）日： | 1995-01-25 |
| 发明（设计）人： | 涂相征;李韫言 | 申请（专利权）人： | 涂相征;李韫言 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 中国科学院专利事务所 | 代理人： | 李素敏 |
| 地址： | 100009 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种正面加工硅膜压阻压力传感器及其制造方法，该传感器的特点是硅膜下的空腔是从衬底硅体内镂空形成的空腔腔体，它的形成步骤a、在衬底硅膜设计区的下方及两侧进行重掺杂，形成连通的低阻区；b、采用阳极氧化技术，使低阻区的硅转变成多孔硅；c、用腐蚀液腐蚀多孔硅；d、用淀积物填平硅膜两侧腐蚀多孔硅后形成的腔体开口。采用这种方法使器件成本低、性能可靠、易于集成和大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅膜压阻 压力传感器 制造 方法 及其 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种硅膜压阻压力传感器的制造方法，该传感器包括在硅膜上表面制作压阻电阻器以及在硅膜下边形成空腔，其特征在于该传感器的硅膜和硅膜下边的空腔是在硅片的正面加工形成的，其主要步骤为：a.在衬底的硅膜设计区的下方和两侧进行重掺杂形成连通的低阻区；b.采用阳极氧化技术，使阳极电流流过这一低阻区，使低阻区的硅转变成多孔硅；c.用腐蚀液腐蚀多孔硅；d.用淀积物填平硅膜两侧腐蚀多孔硅后形成的空腔腔体开口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于涂相征;李韫言，未经涂相征;李韫言许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/90104145.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：直接法合成烷氧基硅烷
- 下一篇：新的磺酰化合物的制备方法
