[实用新型]一种离子敏场效应器件保护装置无效
| 申请号： | 89220420.6 | 申请日： | 1989-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN2073168U | 公开（公告）日： | 1991-03-13 |
| 发明（设计）人： | 洪重光;张学鹏;李志强;赵兴;黄晓兰 | 申请（专利权）人： | 北京哈尼传感技术联合开发公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;G01N27/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种适用于离子敏场效应器件的保护装置。该保护装置由一个具有过电压泄流能力的电路构成，其特征是由保护电极与一组互为反向的二极管构成，保护装置的一端通过保护电极与试液相通，一端与离子敏场效应器件的源极、漏极或基极相连。离子敏场效应器件增加保护装置后，可以使器件在使用过程中，对于因静电作用在离子敏场效应器件绝缘栅上产生的高电压受到抑制，从而有效地保护了离子敏场效应器件，提高了器件的稳定性可靠性和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 场效应 器件 保护装置 | ||
【主权项】：
1、一种离子敏场效应器件的保护装置，其特征是：由保护电极与一组互为反向的二极管构成，保护装置的一端通过保护电极与试液相通，一端与离子敏场效应器件的源极、漏极或基极相连。
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