[实用新型]高稳定半导体氢敏传感器无效
| 申请号： | 89206041.7 | 申请日： | 1989-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN2051351U | 公开（公告）日： | 1990-01-17 |
| 发明（设计）人： | 徐永祥 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01N27/02 | 分类号： | G01N27/02 |
| 代理公司： | 中国科学院专利事务所 | 代理人： | 卢纪 |
| 地址： | 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种包含钯栅MOS器件的高稳定氢敏半导体传感器，它使一个氢敏钯栅MOS器件、一个对氢气没有电学响应的无钯层金属栅MOS器件、一个测温二极管与加热电阻集成在一块硅芯片上，用这样的氢敏半导体传感器组装成补偿电路的氢气检测装置具有高度稳定可靠的氢气检测性能。 | ||
| 搜索关键词： | 稳定 半导体 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种包含钯栅MOS器件的高稳定半导体氢敏传感器，其特征在于，它由一个氢敏钯栅MOS器件、一个对氢气没有电学响应的无钯层金属栅MOS器件、一个测温元件以及加热元件组成。
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