[实用新型]等离子体加速器法离子镀膜装置无效
| 申请号： | 89200444.4 | 申请日： | 1989-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN2042082U | 公开（公告）日： | 1989-08-02 |
| 发明（设计）人： | 王殿儒 | 申请（专利权）人： | 北京长城钛金技术联合开发公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种等离子体加速器法离子镀膜装置，属于物理汽相沉积技术。本实用新型注重霍耳加速器效应的使用，加速器中带有圆柱状永久磁铁，永久磁铁与屏蔽相匹配，因此产生的电离蒸汽质量高、加速合理、镀膜效果好，改变了现有技术液滴微团多、加速和镀膜效果较低的现状。可用于仿金装饰、工模具硬化等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 加速器 离子 镀膜 装置 | ||
【主权项】：
1、一种等离子体加速器法离子镀膜装置，其特征在于：它使用带有圆柱状永久磁铁3的霍耳型等离子体加速器11作为蒸发离化源。加速器11的阴极底座4中放入永久磁铁3，把永久磁铁3与筒屏蔽8和平面屏蔽9相匹配产生稳定运行所需的磁场分布和镀膜所要求的粒子的加速度以及粒子分布效果。
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