[发明专利]用于真空断流器的触点形成材料

摘要

本发明涉及一种用于真空断流器的触点形成材料，它包括一高导电性组分Ａｇ和Ｃｕ以及一耐弧组分ＷＣ，其中触点形成材料的结构中包含一基体和一高导电性组分非连续相，所述非连续相的厚度或宽度不超过５微米，耐弧组分非连续粒子的粒度不超过１微米；并且其中高导电性组分非连续相精细而均匀地分散在基体中，其间隔不超过５微米。

主权项

1.一种含由Ag和Cu构成的高导电性组分和基本上由WC构成的耐弧组成的用于真空断流器的Ag-Cu-WC触点形成材料，其特征在于：所述高导电性组分的含量是：Ag和Cu的总量(Ag+Cu)为25％至65％(重量)，Ag占Ag和Cu总量的百分比[Ag/(Ag+Cu)]为40％至80％(重量)；所述耐弧组分的含量为35％至75％(重量)；所述高导电性组分的结构包括基体和非连续相，所述非连续相的厚度或宽度不超过5微米，被精细地和均匀地分散在所述基体中，其间隔为不超过5微米；并且所述耐弧组分由粒度不超过1微米的非连续粒子所组成。