[发明专利]用微波等离子化学气相沉积法形成以III和V族原子为主组分的功能沉积膜的方法无效

专利信息
申请号: 89100618.4 申请日: 1989-02-01
公开(公告)号: CN1016519B 公开(公告)日: 1992-05-06
发明(设计)人: 金井正博 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: C23C16/48 分类号: C23C16/48;C23C16/52;C23C16/30
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 邹光新
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种形成含有周期表中族III和族V原子的功能沉积膜的工艺。将处于气体状态或受激状的膜形成原料和由于微波等离子体作用面形成的处于受激状态的氢原子引入膜形成区,从而在膜形成区内的基片上形成功能沉积膜。
搜索关键词: 微波 等离子 化学 沉积 形成 iii 原子 为主 组分 功能 方法
【主权项】:
1.一种形成一层含有属于周期表族III和族V的原子(作为主构成原子)的功能沉积膜的方法,其过程为:将分别用下面的通式(I)和(II)表示的化合物1和化合物(2)作为膜形成原料)引入到一个用来在一片放在里面的基片上形成一层沉积膜的膜形成区内,所述这些化合物在一个与所述膜形成区分开配置的激励区内都处于气体状态或至少有一种处于预先受到激励的状态,同时形成与所述激励区内处于气体状态或受激励状态的至少一种所述化合物能起化学反应的处于受激状态的氢原子,并且将这些氢原子引入到所述膜形成区,从而在所述基片上形成这种功能沉积膜;这里所述受激状态的氢原子是由氢气或氢气与一种稀有气体组成的一种混合气体通过在一个等离子体产生室内所产生的一种微波等离子体的作用面形成的,该等离子体产生室位于与一个微波电路中的二个阻抗匹配电路集成为一体的一个空腔谐振器内,而氢原子的这种受激状态般到控制的;RnMm……(I)AaBb……(II)其中m是一个等于R的价数或为其整数倍的正整数,n是一个等于M的价数或为其整数倍的正整数,M是一个属于元素周期表中族III的元素,R是一种从氢(H)、卤(X)和烃类中选取的元素,a是
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