[实用新型]立式真空溅射镀膜机多靶镀膜室无效
| 申请号： | 88216736.7 | 申请日： | 1988-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN2036533U | 公开（公告）日： | 1989-04-26 |
| 发明（设计）人： | 韩久君;肖信才 | 申请（专利权）人： | 韩久君 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 辽宁省辽阳市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种利用磁控溅射镀膜技术向各种平面材料，特别是玻璃表面镀各种材料薄膜的立式真空溅射镀膜机多靶镀膜室，由镀膜室和磁控靶组成。本实用新型通过合理地分配磁控靶与各点的间隔，合理地解决了磁场均匀分布的问题，从而使立式真空镀膜机可以用于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 立式 真空 溅射 镀膜 机多靶 | ||
【主权项】：
一种利用磁控溅射镀膜技术向各种平面材料，特别是玻璃表面镀各种材料薄膜的立式真空溅射镀膜机多靶镀膜室，由镀膜室和磁控靶组成，其特征在于镀膜室内磁控靶的长度与镀膜室的长度相同，直径为75～85mm，磁控靶中心距两侧的距离不大于500～550mm，最下和最上面的磁控靶距底面和顶面的距离均不大于350～450mm，两个磁控靶之间的距离不大于550～650mm，镀膜室的大小可根据需要设计，磁控靶的多少根据镀膜室的大小设计。
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