[实用新型]磷化镓液相外延装置无效
| 申请号: | 88216049.4 | 申请日: | 1988-11-07 |
| 公开(公告)号: | CN2044378U | 公开(公告)日: | 1989-09-13 |
| 发明(设计)人: | 丁祖昌;华伟民 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
| 主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;C30B19/00 |
| 代理公司: | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人: | 连寿金 |
| 地址: | 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 一种磷化镓液相外延装置,设有中心通道15和端口通道18,进入反应区的工作气体均匀混合,掺杂舟16布置在中心通道15内,处于室温状态,掺杂时用磁铁推到副温区内汽化,由携带气体直接送到反应区。制成的磷化镓外延材料掺杂均匀,成品率可达到80%,发光效率提高一倍。 | ||
| 搜索关键词: | 磷化 镓液相 外延 装置 | ||
【主权项】:
1、一种磷化镓液相外延装置,包括双温区加热炉,反应室,供气系统,排气系统,控制系统;反应温度调节,装有外延基片、镓溶液和磷化镓溶质的可移动的外延舟,装有固态掺杂剂的可移动的掺杂舟,掺杂剂,携带气体,其特征在于:——供气系统与反应区之间设有中心通道15和端口通道18;——固态掺杂舟16呈棒状,它含有一个导磁体16.3,布置在中心通道15内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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