[其他]专用于沉积大面积薄膜的平面磁控溅射源无效
| 申请号： | 88203433 | 申请日： | 1988-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN88203433U | 公开（公告）日： | 1988-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王德苗 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/36 | 分类号： | C23C14/36 |
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 连寿金 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种专用于沉积大面积薄膜的平面磁控溅射源，其磁场由条状静止的外磁组件和能作往复运动的内磁组件产生，能对静止的大面积工件表面均匀地镀覆阳光控制膜、低辐射膜、镜面膜及导电膜。适用于镀覆大面积的工件，如大型建筑玻璃、汽车护栅、露天字牌、大型平面镜等。是一种靶材利用率高、耗能小、膜层均匀度高、投资少效益高的新型溅射源。 | ||
| 搜索关键词： | 专用 沉积 大面积 薄膜 平面 磁控溅射 | ||
【主权项】：
1、一种专用于沉积大面积薄膜的平面磁控溅射源，包括一个水冷器，一个磁场源，一个阴极靶，一个屏蔽罩，其特征在于磁场源由二个互相平行的外磁组件[Ia][Ib]和多个一字形排列、垂直于外磁组件[Ia][Ib]、并能在外磁组件[Ia][Ib]之间沿平行于外磁组件[Ia][Ib]方向作往复运动的内磁组件[Ⅱa][Ⅱb]组成；溅射镀膜时，阴极靶[11]靶面受随内磁组件[Ⅱa][Ⅱb]作同步运动的等离环离子扫描刻蚀，在阴极靶[11]正上方静止的大面积工件上沉积薄膜。
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