[发明专利]在高频和低频下的温度稳定介质组合物无效
| 申请号： | 88104510.1 | 申请日： | 1988-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1031520A | 公开（公告）日： | 1989-03-08 |
| 发明（设计）人： | 斯科特·萨伯·坎贝尔 | 申请（专利权）人： | 潭氏陶器有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/49 | 分类号： | C04B35/49;H01B3/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,肖春京 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明目的是制造一个具有介电常数K大于35，品质因素Q在4GHZ时，大于9000，且使焙烧温度降低到小于1350℃的介质陶瓷。该介质陶瓷主要由约35至55mol％ZrO2，30至50mol％TiO2，5至22.5mol％SnO2，0.5至10mol％ZnO，和0.3至2.5mol％CuO混合物烧结而成。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 低频 温度 稳定 介质 组合 | ||
【主权项】：
1、一种K值在25至40范围内，Q值在4GHz下，大于9000的介质陶瓷，主要含有35mol%至55mol%ZrO2，30mol%至50mol%TiO2，5mol%至22.5mol%SnO2，0.5mol%至10mol%ZnO，和0.3mol%至2.5mol%CuO的混合物，在低于1350℃的温度下烧结而成。
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