[发明专利]一种中低阻直拉硅单晶的制备方法无效
| 申请号： | 88102558.5 | 申请日： | 1988-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN1004889B | 公开（公告）日： | 1989-07-26 |
| 发明（设计）人： | 李立本;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/04 |
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 连寿金 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种中低阻直拉硅单晶的制备方法去，采用纯度为99.99％的氮、氩或氮—氩混合气作为保护气体，同时以硅磷合金和硅锑合金作为掺杂剂，控制掺杂剂的杂质浓度和掺入量，获得电阻率为0.5～10Ω·cm、10～50Ω·cm、50～90Ω·cmN型直拉硅单晶。这种硅单晶，其轴向电阻率均匀度优于20％，用于制造大规模集成电路、超大规模集成电路或其他器件，具有成品率高、参数一致性好、成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中低阻直拉硅单晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种中低阻直拉硅单晶的制备方法，包括采用2″～4″直拉硅单晶的生长参数，晶体转速12～45转/分，坩埚转速5～20转/分，拉晶速度0.6～1.5毫米/分，以纯度为99.99％的氮、氩或氮一氩混合气作为保护气体，炉内气体压力为10～50托，气体流量为1.5～6m2/hr，其特征在于同时采用硅磷合金和硅锑合金为掺杂剂，制备电阻率为0.5～90Ω·cmN型直拉硅单晶。
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