[其他]晶体增长装置无效
| 申请号： | 88101744 | 申请日： | 1988-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN88101744A | 公开（公告）日： | 1988-10-05 |
| 发明（设计）人： | 戴维·S·哈维 | 申请（专利权）人： | 无比太阳能公司 |
| 主分类号： | C30B15/34 | 分类号： | C30B15/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖尔刚 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 揭示一种按EFG法增长管形晶体的新颖设备，特征为设备至少有一个外通道和至少一个内通道，在坩埚模具组合件和相关的部件中形成，引入至少一条外通道的气体，藉以输送入与模具上的增长面相邻的增长晶体外面的区域，引入至少一条内通道的气体，输送入与该增长面相邻的空心晶体里面的区域，从而内外区中的大气可以分别控制。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 增长 装置 | ||
【主权项】：
1、用熔化物增长选定截面形状空心晶体的系统中使用的设备，该设备包括：(a)一种坩埚模具组合件，该组合件中有一个容放一种液态原料的室，一个用于晶体形成的增长面，承托在晶种附近的原料液膜，至少一个毛细管，通过毛细作用，用该熔化物的该原料液膜将该增长面润湿，该增长面的俯视为其特点为有一个内缘和一个外缘的环形构形，因此可在增长面上，从熔化物膜增长空心管体；(b)形成远离该坩埚模具组合件的气体第一进口孔的第一孔装置；(c)形成远离该坩埚模具组合件的气体第二进口孔的第二孔装置；(d)将引入该第一孔装置的气体，输送到与该增长面的该内缘相邻的该坩埚模具组合件的第一通道装置；(e)将引入该第二孔装置的气体，输送到与该增长面的该外缘相邻的该坩埚模具组合件的第二通道装置；
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