[发明专利]半导体直接键合的工艺方法无效
| 申请号： | 87108314.0 | 申请日： | 1987-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1009514B | 公开（公告）日： | 1990-09-05 |
| 发明（设计）人： | 童勤义;詹娟;孙国梁;徐晓莉 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/02 |
| 代理公司： | 东南大学专利事务所 | 代理人： | 楼高潮,沈廉 |
| 地址： | 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种用于直接键合半导体片的工艺方法，采用氧化、表面处理和热处理的方法实现，其特点是将经过镜面抛光的硅片氧化后，对绝缘层表面进行表面结合键增强处理。热处理采用低温处理和高温处理相结合的方法。本发明具有键合面积大、可靠和工艺方便、设备简单、成本低廉、易于推广等优点不仅可以用于制作SOI材料，而且可用于PN结制造和N/N+、P/P+结构的外延，可获得厚度均匀，性质与本体硅相同的单晶硅薄层。用于制作各种性能优异的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 直接 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于直接键合半导体片的工艺方法，采用氧化、表面处理和热处理实现，其特征在于将经过镜面抛光的硅片氧化后进行绝缘层表面由等离子体实现的表面结合键增强处理，将两个需键合的表面紧密接触，然后进行热处理，最后把硅片减薄到所需的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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