[发明专利]用阻挡层来制造异形陶瓷复合体的方法无效

专利信息
申请号: 87103352.6 申请日: 1987-05-07
公开(公告)号: CN1033021C 公开(公告)日: 1996-10-16
发明(设计)人: 马克·S·纽克尔克;罗伯特C·坎特内尔 申请(专利权)人: 兰克西敦技术公司
主分类号: C04B35/00 分类号: C04B35/00;C04B35/10
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 段承恩,徐汝巽
地址: 美国特*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了一种由氧化母体金属来形成多晶陶瓷以生产自支承陶瓷体的方法,其中多晶材料基本由上述母体金属与氧化剂的氧化反应产物及选择性的一种或多种金属组分组成。该方法提供了一种至少是与此母体金属部分分开的阻挡装置,而界定出陶瓷体的至少一个表面,将母体金属加热到高于其自身熔点但低于其氧化反应产物熔点的温度以形成一熔融金属体。在此温度,此熔融金属与氧化剂反应生成氧化反应产物,使该继续进行直到上述阻挡层,最后得到具有阻挡层确定的表面的陶瓷复合体。
搜索关键词: 阻挡 制造 异形 陶瓷 复合体 方法
【主权项】:
1.一种通过母体金属的氧化形成多晶材料来制造具有至少一个所需形状表面的自支承陶瓷体的方法,所说的母体金属选自铝,铝合金,硅,钛,锆和锡,所说的多晶材料基本由(1)所说的母体金属与至少一种氧化剂的氧化反应产物,(2)一种或多种金属组分和/或孔隙组成,上述方法包括以下步骤:(a)在至少一部分所说的母体金属上提供一种阻挡层,使其至少部分地与所说的母体金属分开,以限定至少一个陶瓷体的表面,所说的阻挡层包括选自硫酸钙、硅酸钙、波特兰水泥、磷酸三钙或其混合物中的一种;(b)加热所说的母金属至高于其熔点但低于其氧化反应产物的熔点的温度,以形成一种熔融金属体,并且在此温度下,(i)所说的熔融金属体与所说的氧化剂反应开始形成所说的氧化反应产物,(ii)保持至少一部分所说的氧化反应产物与所说的熔融金属和氧化剂接触并处于它们之间,以使熔融金属通过氧化反应移向所说的阻挡层并使之与所说的氧化剂接触,从而在氧化剂与已形成的氧化反应产物间的界面处继续形成氧化反应产物,以及(iii)继续进行上述反应直至所说的多晶材料接触到所说的阻挡层,以制造所说的具有由所说的阻挡层确定的至少一个表面的陶瓷体。
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