[发明专利]通过碳热还原制造氮化硅和氮化铝粉末的方法无效

专利信息
申请号: 87102971.5 申请日: 1987-04-03
公开(公告)号: CN1009819B 公开(公告)日: 1990-10-03
发明(设计)人: 罗朗·巴歇拉尔;菲利普·儒贝尔 申请(专利权)人: 阿托化学公司
主分类号: C01B21/06 分类号: C01B21/06;C01B31/30;C04B35/56;C04B35/58
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 刘元金
地址: 法国普托米*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及用碳热还原法制造氮化硅和氮化铝粉末。这些粉末具有特别高的比表面积,可用来制造陶瓷。
搜索关键词: 通过 还原 制造 氮化 粉末 方法
【主权项】:
1.用碳热还原法和适宜时用金属氧化物的氮化法制备特别适于做陶瓷的氮化硅和氮化铝粉末的制备工艺,该工艺包括:b)在含氮气氛下进行碳热还原反应,c)脱碳和d)回收粉末,其特征在于在上述步骤之前还包括以下步骤:a)由二氧化硅和/或氧化铝和至迟在碳热还原反应期间产生碳的粘结剂以及适当场合下添加的碳来制备具有可控微孔体积的小颗粒。
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