[发明专利]正交的磁性存贮介质无效

专利信息
申请号: 87101975.2 申请日: 1987-03-18
公开(公告)号: CN1009401B 公开(公告)日: 1990-08-29
发明(设计)人: 那须昌吾;斋木幸治 申请(专利权)人: 钟渊化学工业株式会社
主分类号: G11B5/85 分类号: G11B5/85
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 罗英铭,陈季壮
地址: 日本大阪*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 包括基片和在其上形成的正交磁性各向异性膜的正交磁性存贮介质,其特征在于,该膜是金属次氧化物膜,其组成可用式[(Fe1-xCox),1-yMy1-xOx[其中,0.01≤x≤0.75,0≤y≤0.30,0.05≤z≤0.50,M代表一种或多种选自Al、Cr、Mo、Ti和ZR的金属)表示;该膜有与膜平面垂直的易磁化轴;可观察到由氧化的Fe产生的x射线衍射强度峰和由金属态Fe、Co及M产生的x射线衍射强度峰。
搜索关键词: 正交 磁性 存贮 介质
【主权项】:
1、一种包括基片和在基片上形成的正交磁性各向异性膜的正交磁性存贮介质,其特征在于上述正交磁性各向异性膜是一种其组成可用通式[(Fe1-xCox)1-yMy]1-zOz(其中0.01≤X≤0.75,0≤Y≤0.30,0.05≤Z≤0.50,M代表一种或多种选自Al、Cr、Mo、Ti和Zr的金属)表示的金属次氧化物膜;该膜有与膜平面垂直的易磁化轴;在X射线衍射谱上可以观察到由氧化的Fe产生的X射线衍射强度峰和由金属态Fe、Co以及金属M产生的X射线衍射强度峰。
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