[发明专利]互补横向绝缘栅整流管

摘要

一种互补横向绝缘栅整流管(LIGR)包括两个互补LIGR结构、它们分别制作在半导体基片中具有同类导电性的相邻面接触型各半导体井中。这两个LIGR结构具有一般相似结构形式、因此简化了制造工艺；所提出的设计使n沟道和P沟道能有相差不大的导通电阻。由隔开两个半导体井的基片部分所隔离的这两个LIGR结构是由公共源极连在一起的。所得互补LIGR以紧凑的集成结构为特色、其中组件的n沟道和P沟道部分的导通电阻是相差不大的，

主权项

1.一种互补横向绝缘栅整流管，其特征在于所述整流管包括：——一个具有第一类导电性并有一个主表面的半导体基片，——相邻的面接触型第一和第二半导体并，它们具有与所述基片中的第一类导电性相反的第二类导电性，并且由所述基片的一部分把它们彼此隔开。——在所述第一井中具有第一类导电性的面接触型第一半导体区以及在所述第一半导体区中具有第二类导电性的薄层面接触型第一源区。——在所述第一井中具有第二类导电性的面接触型第一漏区以及在所述第一漏区中具有第一类导电性的薄层面接触型第二漏区。——在所述第一井中具有第一导电性的面接触型第一漏延伸区，它从所述第一漏区向所述第一半导体区延伸，——一个在所述主平面上的绝缘层，它具有在所述第一井上方并至少覆盖所述第一源区和所述第一漏区之间所述第一半导体区的一部分的第一绝缘层部分，——在所述第一绝缘层部分上的第一栅极，它至少在所述第一半导体区的一部分的上方并且是与所述基片绝缘的，——在所述第二井中具有第一类导电性的面接触型第二源区。——在所述第二井中具有第一类导电性的面接触型第三漏区以及在该第三漏区中具有第二类导电性的薄层面接触型第四温区，——在所述第二井中具有第一类导电性的面接触型第二漏延伸区，它从所述第三漏区向所述第二源区延伸。——在所述主平面上的所述绝缘层的第二绝缘部分，它在所述第二井上方并且至少覆盖所述第二源区和所述第二漏延伸区之间所述第二井的一部分，——在所述第二绝缘层部分上的第二栅极，它至少在所述第二井的所述部分上方，并且是与所述基片绝缘的，——分别与所述第二和第四漏区连接的第一和第二漏极，以及——与所述第一半导体区，所述第一源区和所述第二源区连接的源极。