[发明专利]一种用于对准掩膜和硅片的相关位置的方法及实现该方法的装置无效
| 申请号： | 87100831.9 | 申请日： | 1987-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1018866B | 公开（公告）日： | 1992-10-28 |
| 发明（设计）人： | 田畑光雄;东条徹;下裕明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东京光学机械株式会社 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明对准第一和第二物体的方法，第一和第二物体面对面地安置，对准是在垂直于面对面方向上进行的。第一物体上制有光栅图形。第二物体上制有方格棋盘形光栅图形。从对用光源发出的光束射在第二物体的方格棋盘形光栅图形上。被其衍射的光束被引向第一物体的光栅图形上。由此再被衍射的光束被检测器检测。从而测得第一和第二物体的相对位置，面与它们的间距无关。依照检测结果，第一和第二物体被精确地对准。本发明可被用作对准掩膜和硅片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 对准 硅片 相关 位置 方法 实现 装置 | ||
【主权项】：
1.一种对准掩膜与硅片的相关位置的方法，当制作在上述掩膜上的电路图形转印到上述硅片上时，掩膜与硅片面对面安置，对准是在与它们相对面的法线方向相垂直的方向上进行的，其特征为包括下列步骤：在上述掩膜上制作一光栅图形作为对准标记；在上述硅片上制作一方格棋盘形光栅图形作为对准标记；使检测光源发射的光束投射到上述硅片的上述方格棋盘形光栅图形上；把在上述方格棋盘形光栅图形处发生衍射的衍射光束传输到上述掩膜的上述光栅图形上：检测透射过上述掩膜的光栅图形时所产生的衍射光束；以及按照被检测的衍射光强度来调整上述掩膜和上述硅片之间的相关位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东京光学机械株式会社，未经株式会社东芝;东京光学机械株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/87100831.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：含有零序电流检测电路的固态跳闸装置
- 下一篇：连续浇铸法
