[发明专利]三氯氢硅(SiHCl3)的制备无效
| 申请号： | 87100535.2 | 申请日： | 1987-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1011878B | 公开（公告）日： | 1991-03-06 |
| 发明（设计）人： | 张崇玖 | 申请（专利权）人： | 张崇玖 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 江苏省南通市专利服务部 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 江苏省南通市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | SiHCl3(三氯氢硅)是制备高纯多晶硅的主要原料。以往SiHCl3的合成是采用HCl气体通入到加热的硅粉中来制备，用固定床反应时SiHCl3的产率只有60-70％。用沸腾床反应时可使SiHCl3的产率提高到80-90％，其余主要为SiCl4副产物。由于用SiCl4氢还原制备高纯多晶硅时耗能较多，一般硅材料厂将SiCl4作为废物排出，这除了使硅粉和HCl气体的利用率低外，还严重地污染环境。本发明就是利用反应时排出的废物SiCl4作为原料，再与HCl一起通入到加热的硅粉中，通过调节SiCl4通入量的大小，来控制SiHCl3的收率，直至达到100％。本发明提出的方法简单易行，凡生产硅材料的工厂或其它有SiCl4副产物排出的工厂均可利用。 | ||
| 搜索关键词： | 三氯氢硅 sihcl3 制备 | ||
【主权项】：
1.三氯氢硅(SiHCl3的合成方法，采用HCl气体通入到加热的硅粉中来制备，本发明的特征是：在通入HCl到加热硅粉的同时，增加通入SiCl4，由调节SiCl4的通入量来控制SiHCl3的收率。
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