[其他]III-V族化合物半导体元件之电极生成方法无效
| 申请号： | 86108717 | 申请日： | 1986-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN86108717A | 公开（公告）日： | 1987-07-22 |
| 发明（设计）人： | 辻井胜己;原田昌道 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H10L21/28 | 分类号： | H10L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 杨松坚 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是关于在GaAs或GaAlAs等化合物半导体底板上所形成之以金为主体的含金膜，能在不损及该底板之情形下，借光刻法易于将其加工成所希望之图形的电极形成方法。若依照本发明之方法，则在III-V族化合物半导体底板之电极形成面上预先形成钛膜后，再形成一层以金为主体之合金层，然后，将该合金层腐蚀成预定之图形，并设定能作电阻接触之电极，然后将底板上除此电极部分以外之钛膜除去。 | ||
| 搜索关键词： | iii 化合物 半导体 元件 电极 生成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种Ⅲ-V族化合物半导体元件之电极形成方法，其特征在于，在Ⅲ-V族化合物半导体底板之电极形成面上，预先形成钛膜后，再形成以金为主体之合金层，并将该合金层腐蚀成所规定之图形，设定能作电阻接触之电极，其后将底板上除此电极部分以外之钛膜加以去除。
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