[发明专利]薄膜晶体管

摘要

提供种基本半导体层，包含由非晶材料构成层改进的薄膜晶体管，其制备方法如下将含有能够成为所述层组分原子的气态物质(i)通过输送管引入放有基底的成膜室，将对该气态物质具有氧化性能的气态卤族物质。(ii)通过氧化剂输送管引入该成膜室；使该气态物质和该气态卤族氧化剂在成膜室内无等离子体的情况下发生化学反应，产生含受激先质的多种先质；至少利用这些先质中的一种作为供应源，在基底上形成所述的层。

主权项

1.一种制备改进的非晶硅薄膜晶体管的方法，该晶体管包括一绝缘基底，由沉积在该基底表面上的不掺杂非晶硅半导体材料膜形成的第一层，由掺有n型杂质的非晶硅材料膜形成的第二层；由非晶硅绝缘材料膜形成的第三层；由金属薄膜形成的栅极，以及分别由金属薄膜形成的源极和漏极，上述第一层通过第三层与栅电极联接，上述第二层位于第一层与源极之间和第一层与漏极之间，上述方法的特征在于包括下列步骤：(a)使上述基底在其成膜空间中保持在室温到450℃的温度范围内：(b)通过第一气体传输管道将气态的制备沉积膜的气态原料引入上述真空成膜空间，其中气态原料能够成为该种膜的组分，但当该气态原料处于正常状态时基本上不能为制备薄膜起作用；(c)通过第二气体传输管道引入气态卤族氧化剂，其中第一和第二气体传输管道是同轴的，并且它们的开口邻近形成反应空间中的基底，上述气态卤族氧化剂对反应空间中的气态原料具有氧化性能，以影响其间的化学接触，并借此在反应空间中没有等离子体时产生化学反应，从而产生包含受激先质的多种先质，其中至少有一种先质形成的薄膜至少构成第一、第二和第三层中的一层；以及(d)将第一和第二同心气体传输管道的出口与基底的表面的距离维持在5毫米到15厘米。