[其他]等离子体处理装置无效
| 申请号： | 86105186 | 申请日： | 1986-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN86105186A | 公开（公告）日： | 1987-06-03 |
| 发明（设计）人： | 大坂谷隆义 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 等离子体处理装置，它通过将加到置于反应容器内的待处理材料上的处理流体转变成等离子体，来促进处理反应。其中提供了光源，以用诸如紫外线或激光束的射线束照射转变成等离子体的处理流体，以产生光致反应。处理流体由微波能量转变成等离子体，并经射线束照射而被激发，从而得到速度加快的处理反应。另外，由于用射线束照射待处理材料表面，故可避免等离子体待处理表面时损坏，这样，可无损地迅速处理材料。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1、等离子体处理装置，它通过将加到置于反应容器内的待处理材料上的处理流体转变成等离子体来促进该处理，其改进在于提供了向所述处理流体和所述待处理材料上照射射线束的光源，以产生光致反应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
