[发明专利]绝缘栅双极晶体管的激励电路无效

专利信息
申请号: 86101151.1 申请日: 1986-02-06
公开(公告)号: CN1006266B 公开(公告)日: 1989-12-27
发明(设计)人: 冈土千寻 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H03K17/08
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 王栋令
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 为绝缘栅双极晶体管IGBT(1)用的激励电路包括有电源(4,5);供IGBT(1)栅极电压的栅压输入电路(6,7);为检测该IGBT(1)集电—发射极电压的检测电路(16,17,41,42);和为调低控制信号的调节电路(13,14,10,18,21,44)。当检测电路检出不正常状态时,调节电路在检测后或在对栅极加导通信号经一预定时间间隔后立即对IGBT(1)的栅压进行降压操作。
搜索关键词: 绝缘 双极晶体管 激励 电路
【主权项】:
1.一个绝缘栅双极晶体管用的保护电路,其特征在于包括有:a.一个栅压输入电路,用于产生栅压并将它提供给所述绝缘栅双极晶体管的栅极;b.与所述绝缘栅双极晶体管串联连接的一个负荷;c.一个第一检测电路装置连接到具有所述负荷的电路中,用于检测所述负荷的不正常;d.调节电路装置反应所述检测电路装置并连接到所述栅压输入电路装置,用于调节该绝缘栅双极晶体管的栅极电压;e.一个第二检测电路装置,用于检测该调节电路装置的工作时间是否超过一定周期,所述第二检测电路装置连接到所述调节电路装置;以及f.其中所述的调节电路装置在绝缘栅双极晶体管的集电极-发射极电压增大时首先将栅压调节低到不小于绝缘栅双极晶体管的栅压门限值的低电压值,以降低所述绝缘栅双极晶体管的故障电流;在经过所述予定周期之后调节该栅压到小于该门限电压水平的电压值,以开断该故障电流。
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