[其他]氮化硅工程陶瓷烧结新工艺无效
| 申请号： | 86100384 | 申请日： | 1986-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN86100384A | 公开（公告）日： | 1986-07-16 |
| 发明（设计）人： | 李克永;李育民;陈国桓;赵忠祥;吴文林 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58 |
| 代理公司： | 天津大学专利代理事务所 | 代理人： | 贾庭勋 |
| 地址： | 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种生产氮化硅工程陶瓷的烧结新工艺。其特征是以超纯N2代替普通液N2，取消了原有的N2气精制系统和相应设备，同时，又在研究了3Si+2N2→Si3N4+173Kal这一放热反应的反应速度基础上，掌握了反应速度和温度，反应率之间的关系，实现了对反应情况的控制。新生产工艺和原工艺相比，其优点在于可使原设备生产能力提高一倍以上；节电50％，节省大量N2气，H2气和氩气，消除了流硅现象，提高成品率，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 工程 陶瓷 烧结 新工艺 | ||
【主权项】：
1、硅粉经氮化可制得氮化硅。本发明为一种生产氮化硅工程陶瓷的新工艺其特征在于取消了原有的N2气精制系统，并能控制烧结过程。
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