[发明专利]高跨导高厄利(Early)电压模似(MOS)晶体管

摘要

高跨导高Early电压的Mos晶体管——HGET，属于一族新型半导体集成器件。它能在常规的MOS工艺下制造出跨导为20～40mV，Early电压为40～50V的器件。这种器件放大器的电压增益可达57db，它的等效电路是由两个MOS管和一个双极型晶体管复合构成，它的工艺简单，又能比普通的MOS器件的芯片面积小β倍，用于模拟电路中即能获得高增益，又因互补作用，能灵活满足不同电路的设计要求。

主权项

1.一种由一个MOS晶体管和一个双极型晶体管(图1、A)或者由两个MOS晶体管(图1、B)构成的半导体集成器件，其特征在于增加了一个MOS晶体管或一个双极型晶体管，一共由三支管子(二只MOS晶体管，一只双极型晶体管)复合构成甲乙两类(因为晶体管有两种类型，一类有两种等效复合方式)一共四种复合方式。甲类复合方式：MOS晶体管M1的源极和三级管Q的基极连接，MOS晶体管M2的栅极和晶体管Q的发射极连接，M1的漏极、Q的集电极和M2的源极连接，M1、M2是NMOS晶体管时，Q是NPN型晶体管，这是一种方式(图2、A)，M1M2是PMOS晶体管时，Q是PNP型晶体管，构成另一种复合方式(图2、B)。乙类复合方式：M1的源极、M2的栅极和Q的集电极连接，M1的漏极和Q的基极连接，M2的源级和Q的发射极连接，当M1、M2是NMOS时，Q是PNP管，构成一种复合方式(图3、A)，当M1、M2是PMOS时，Q是NPN管，这是另一种复合方式(图3、B)。