[发明专利]互补半导体器件无效
| 申请号： | 85108969.0 | 申请日： | 1985-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN1004736B | 公开（公告）日： | 1989-07-05 |
| 发明（设计）人： | 渡边笃雄;长野隆洋;池田隆英;门马直弘;斋藤隆一 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L29/28 | 分类号： | H01L29/28;H01L29/72;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 赵越 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一具有n型和P型陷井区的单片互补半导体器件，其n型和P型陷井区是由介电隔离区从表面延伸到衬底分离开的。陷井区包括在其底部的高掺杂的埋层区，并将陷井中的有源区与衬底区分离开。隔离区比埋层区深。陷井到陷井的隔离是由埋层区和深解电隔离区的结合增强的，封装密度和工作速度也可得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种单片互补半导体器件包括：第一导电型半导体衬底区，衬底区具有一表面；高杂质浓度的半导体埋层区布设並直接与上述衬底区的表面相接触，而且至少包含一上述第一导电类型的第一埋层区和具有第二导电类型的第二埋层区，该第二导电型是与上述第一导电类型相反的，第一和第二埋层区具有一中间间隔。与上述埋层区相比，低杂质浓度的半导体陷井区布设在上述埋层区上，半导体陷井区延伸到並在主表面上形成，並具有布置在上述第一埋层区上的至少第一导电型的第一陷井区和在上述第二埋层区的第二个导电型的第二个陷井区，从而在第一和第二陷井区也设置有如在第一和第二埋层区之间的同样间隔；及一绝缘部分从上述主表面延伸到上述衬底区並填充了(1)上述第一陷井和埋层区及(2)上述第二陷井和其最接的埋层区之间的间隔，上述绝缘部分围绕着上述第二陷井和埋层区，而並不围绕着上述第一陷井和埋层区，从而，由上述绝缘部分使第一陷井和埋层区与第二陷井和埋层区分离开来。
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