[其他]具有包含铬还原剂之氧化物阴极的真空电子管无效
| 申请号： | 85108462 | 申请日： | 1985-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN85108462B | 公开（公告）日： | 1988-10-19 |
| 发明（设计）人： | 凯尼希·昆一山江 | 申请（专利权）人： | 美国无线电公司 |
| 主分类号： | H01J19/14 | 分类号： | H01J19/14;H01J1/14;H01J1/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 吴秉芬 |
| 地址： | 美国新泽西州*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一真空电子管中，一种创新的氧化物阴极包括含一金属基体，用以加热该基体至其工作温度的装置，和在该基体上的一碱土金属氧化物层。基体基本上不含硅，并且包含大于1.0％(重量)的有效浓度的铬金属，以逐渐迁移进入到氧化物层中，并还原该氧化物，以产生碱土金属。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 包含 还原剂 氧化物 阴极 真空 电子管 | ||
【主权项】：
1.一种具有氧化物阴极的真空电子管，包括一金属基体，一套筒，一位于套筒内的将该基体加热到其工作温度的装置，以及一在该基体上的基本上由碱土金属氧化物构成的层，其特征在于，所说基体(18)基本上不含硅，而含有有效浓度范围为5到20％(重量)的铬金属用以逐渐还原该氧化物，以产生碱土金属。
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