[发明专利]强光离子渗金属装置及其方法无效

专利信息
申请号: 85106757.3 申请日: 1985-09-10
公开(公告)号: CN1004933B 公开(公告)日: 1989-08-02
发明(设计)人: 李仲君 申请(专利权)人: 电子工业部工艺研究所
主分类号: C23C10/00 分类号: C23C10/00;C23C14/48;C23C14/00
代理公司: 电子工业部专利服务中心 代理人: 邱应凤,徐娴
地址: 山西省太原市*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明公开了一种利用二次着火现象所设计的强光离子渗金属装置及其方法。渗层深度明显加深,渗钼层达285微米,渗入金属种类不受限制。阴极座上有一个用渗入金属做成的桶形靶,内放工件,工件周围放置渗入金属碎片,在适当条件下,桶形靶内电离产生“雪崩”,形成高能量强光离子区,完成强光离子渗金属过程,该区温度可达1700℃,也可以作为科学研究用新颖的高温能源。
搜索关键词: 强光 离子 金属 装置 及其 方法
【主权项】:
1.一种离子渗金属方法,包括:(1)在钟罩1内设置有阳极2、阴极座5及偏压环3,工件6被置于阴极座5上(2)将真空室的真空度抽到1×10-5托后,充入氩气,压力控制在4×10-1-8×10-2托(3)启动工作电荡进行渗镀其特征在于:--阴极由阴极座5和桶形靶4构成,工件6被置于桶形靶4中,工件6周围放置有渗入金属碎片7,且工件6与桶形靶4同电位--阳极2与阴极座5之间的电压为600-1000伏,偏压环3的电压为100-450伏--渗金属时工件温度控制在900-1050℃。
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