[其他]高抗干扰HP-MOS系列集成电路

摘要

为降低工业电子装置在抗干扰措施上的费用，我们研究了脉冲数字电路的抗干扰理论，提出了动态噪声容限指标，证明了高速器件不适用于干扰强速度低的场合，设计了HP-MOS系列集成电路，其静态噪声容限接近理想值，优于C-MOS、HTL的抗干扰性能，外接适当电容，其抗干扰性能可与继电器相当。它可广泛用于工业控制电子装置与微型机的接口电路中，使这些装置的造价降低、可靠性提高。

主权项

HP-MOS系列集成电路的特征是：在负24V±4V电源下，其高抗干扰端噪声容限10V≤ΔVN≤14V，并可外接电容调节动态噪声容限ΔT的大小，tr，tf并不增大，且ΔTH＝ΔTL，即在相同频率下，ΔTN接近最大值，可以方便的与C-MOS、LS-TTL、LH-DTL等集成电路直接连接使用的高抗干扰的E/DP-MOS集成电路。