[发明专利]一种半导体大硅片制造用等静压石墨制备加压焙烧炉在审
| 申请号： | 202311158962.5 | 申请日： | 2023-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN116892831A | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 纪斌;冯于驰;吕鹏 | 申请（专利权）人： | 福建福碳新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | F27B17/00 | 分类号： | F27B17/00;F27D5/00 |
| 代理公司： | 常州市天龙专利事务所有限公司 32105 | 代理人： | 于雅洁 |
| 地址： | 366011 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体大硅片制造用等静压石墨制备加压焙烧炉，属于半导体大硅片制造领域。本发明的一种半导体大硅片制造用等静压石墨制备加压焙烧炉，包括装置底座，所述装置底座的一端设置有后固定板；所述装置底座上端的另一侧设置有第一前挡板，所述第一前挡板和第二前挡板之间卡槽连接，所述第二前挡板外部的一侧与装置底座的上端通过第一转动连接轴转动连接。本发明解决了现有焙烧炉不能高效的对大批量材料进行加工的问题，本发明由上材料收集框、第一下材料收集框和第二下材料收集框同时对材料进行堆积并存放材料，避免大量材料同时堆积，便于使用者的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 硅片 制造 静压 石墨 制备 加压 焙烧 | ||
【主权项】：
暂无信息
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