[发明专利]一种基于硅衬底的抗过饱和溢出CCD结构

摘要

本发明涉及一种基于硅衬底的抗过饱和溢出CCD结构，属于电子电路领域。该结构由抗过饱和溢出栅、抗过饱和溢出势垒、抗过饱和溢出漏和沟阻构成；抗过饱和溢出势垒位于抗过饱和溢出栅下0.5μm位置，抗过饱和溢出漏位于抗过饱和溢出栅一侧，CCD垂直转移沟道位于抗过饱和溢出栅另一侧，CCD垂直转移沟道在强光下产生的过饱和信号越过抗过饱和溢出势垒进入抗过饱和溢出漏，避免过饱和信号溢出至临近CCD垂直转移沟道；在N型硅衬底之上，通过注入能量为2MeV高能注入B+离子高温推结形成深度约5μm的深P阱；N型衬底施加5V的正向偏置电压，确保N型衬底不会倒灌信号至CCD垂直转移沟道；有利于降低抗过饱和溢出电压。