[发明专利]一种降低亚微米二氧化硅表面硅羟基位阻的方法、经表面修饰的亚微米二氧化硅及其应用在审
| 申请号： | 202311135391.3 | 申请日： | 2023-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN116855101A | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 王宁;杨柳;梁庆文;朱朋莉;赵涛;孙蓉;杜晓蒙;强倩倩;李豪俊 | 申请（专利权）人： | 深圳先进电子材料国际创新研究院 |
| 主分类号： | C09C1/30 | 分类号： | C09C1/30;C09C3/12 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 韩晶;范盈 |
| 地址： | 518103 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种降低亚微米二氧化硅表面硅羟基位阻的方法、经表面修饰的亚微米二氧化硅及其应用。该方法包括：采用烷氧基硅烷化合物对亚微米二氧化硅表面的硅羟基进行重整，得到经硅羟基重整后的亚微米二氧化硅；再采用硅烷偶联剂对所述经硅羟基重整后的亚微米二氧化硅进行表面修饰，得到经表面修饰的亚微米二氧化硅。该方法通过采用烷氧基硅烷化合物对亚微米二氧化硅进行表面处理，实现表面硅羟基的重整，降低了表面硅羟基的反应位阻，使硅烷偶联剂分子中的硅烷氧基团反应完全，提高了表面修饰的性能稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 微米 二氧化硅 表面 羟基 方法 修饰 及其 应用 | ||
【主权项】：
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