[发明专利]一种具电极间电容结构的IGBT芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202311055712.9 | 申请日： | 2023-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN116779664A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李江华 | 申请（专利权）人： | 深圳芯能半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H10N97/00 |
| 代理公司： | 深圳昊生知识产权代理有限公司 44729 | 代理人： | 刘新子 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具电极间电容结构的IGBT芯片及其制作方法，该芯片包括：N型硅衬底、二氧化硅区、P型体区、N+发射极、栅极多晶硅区、顶部多晶硅层、接触孔、顶部金属区、N型场终止区、P+阳极区、Cgs发射极端电极以及Cgs栅极端电极；其中，在所述栅极多晶硅区的顶部形成的所述顶部多晶硅层与二氧化硅层构成一种电容结构，且该电容结构与所述Cgs发射极端电极以及Cgs栅极端电极分别相连，以实现在Cgd不变的同时改变Cgs。本发明提出了一种新的IGBT结构，在栅极多晶硅区的顶部，形成一个与栅极和发射极并联的电容，将改变Cgs的大小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 电容 结构 igbt 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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