[发明专利]刻蚀设备在审
| 申请号： | 202311021024.0 | 申请日： | 2023-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN116741614A | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 林政勋;郭轲科;华恩瀚 | 申请（专利权）人： | 无锡邑文电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/305;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 杨勋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种刻蚀设备，其包括反应室、等离子体发生室、气体分流盘和隔离件，等离子体发生室包括外壳、屏蔽罩和第一电磁感应线圈，屏蔽罩设置于外壳内、且具有第二腔室，外壳设置有进气孔，进气孔与第二腔室连通；第一电磁感应线圈设置于外壳，且绕屏蔽罩的周向分布；气体分流盘设置于等离子体发生室和反应室之间，气体分流盘设置有用于使反应室的第一腔室和第二腔室连通的气孔组件；隔离件设置于第二腔室内，且隔离件分隔在进气孔和气孔组件的进气口之间，以使从进气孔进入第二腔室的气体绕隔离件流动后经过气孔组件进入第一腔室。该设备能够保证足量的等离子体和活性自由基，以便于充分地进行刻蚀反应。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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