[发明专利]半导体器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310855171.1 | 申请日： | 2023-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN116669421A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 刘洋浩;徐朋辉;刘涛;曲晓帅 | 申请（专利权）人： | 长鑫科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L23/64;H10N97/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件结构及其制备方法，方法包括：提供衬底；于衬底上形成叠层结构，叠层结构包括由下至上依次交替排布的支撑层及牺牲层，叠层结构的顶层为支撑层；于叠层结构内形成电容孔，电容孔沿厚度方向贯穿叠层结构；于电容孔的侧壁及底部形成第一电极层，第一电极层包括位于电容孔侧壁的体电极层及位于电容孔底部的接触电极层；去除牺牲层；对体电极层进行减薄处理，以使得体电极层的厚度小于接触电极层的厚度。上述半导体器件结构及其制备方法能够优化半导体器件结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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