[发明专利]晶硅太阳能电池光衰异常分析方法及系统在审
| 申请号： | 202310845872.7 | 申请日： | 2023-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN116825657A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 高翰文 | 申请（专利权）人： | 芜湖协鑫集成新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 241100 安徽省芜湖市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开晶硅太阳能电池光衰异常分析方法及系统，该方法包括：取设定掺杂了元素A，在IV电性能测试机上测试电池片的原始的电性能数据；通过PL测试机测试电池片的正面并保存原始PL图片；将电池片过抗光衰炉；然后在IV电性能测试机上测试当前的电性能数据；通过PL测试机测试电池片的正面并保存当前PL图片；将原始的电性能数据与当前的电性能数据、原始PL图片与当前PL图片分别进行对比；在过抗光衰炉后相较于过抗光衰炉前，若设定掺杂了元素A的电池片的电性能数据以及PL图像亮度的变化情况，与实际掺杂了元素A的电池片的电性能数据以及PL图像亮度变化情况不同，则光衰异常为电池片本身掺杂导致。本申请检测效率高、操作方便且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 异常 分析 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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