[发明专利]熔射涂层的清洗方法在审
| 申请号： | 202310813996.7 | 申请日： | 2023-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN116727341A | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 李仁杰;刘晓刚;刘超;冯卫东 | 申请（专利权）人： | 合肥微睿科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/02;B08B3/12;B08B1/00;B24C3/02;B24C9/00 |
| 代理公司： | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人： | 刘静洋 |
| 地址： | 230000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于半导体器件清洗技术领域，涉及熔射涂层的清洗方法。针对现有技术中，半导体领域中熔射涂层的清洗再生，一般是将熔射涂层整体去除，易造成的基体工件损伤，需大气等离子体喷涂作业，维修成本高，工艺复杂耗时的技术问题，本申请提供熔射涂层的清洗方法，去除熔射涂层上的灰尘微粒，保留熔射涂层，方法包括有机酸清洗、研磨和高压水洗，在不剥离熔射涂层的前提下，对熔射涂层上的灰尘微粒清洗效果较好，清洗后的熔射涂层性能和再生方式的熔射涂层几乎无差异，满足性能需求的同时，简化了工艺，降低了熔射涂层的维修成本，延长了半导体工件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 涂层 清洗 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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