[发明专利]一种用溶液浸泡烧结获得掺杂碳化硅单晶的方法在审
| 申请号： | 202310804382.2 | 申请日： | 2023-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN116815327A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张新峰;德米特罗维奇·德米特里;李国平;龙安泽;吴志亮;黄宏嘉;陈善亮;杨祚宝;王霖;花俊;汪群华 | 申请（专利权）人： | 江苏卓远半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B31/04 | 分类号： | C30B31/04;C30B29/36;C30B33/02 |
| 代理公司： | 南通华发知识产权代理事务所(普通合伙) 32662 | 代理人： | 章威威 |
| 地址： | 226500 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用溶液浸泡烧结获得掺杂碳化硅单晶的方法，所述方法：将表面具有多孔结构的碳化硅单晶浸泡于溶有所需掺杂的物质的乙醇溶液或水溶液或乙醇水混合溶液中，浸泡完成后，再经烧结处理即得到掺杂碳化硅单晶。采用该方法获得的掺杂碳化硅单晶，其掺杂均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 溶液 浸泡 烧结 获得 掺杂 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏卓远半导体有限公司，未经江苏卓远半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310804382.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
