[发明专利]一种半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202310780520.8 | 申请日： | 2023-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN116705839A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 胡书怀;陈沛煜 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/161;H01L29/167;H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 钟玉敏 |
| 地址： | 201314*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构包括一基底，所述基底具有一沟槽，所述沟槽具有横向延伸突出的尖端；形成于所述基底上的若干个栅极结构，所述沟槽与相邻的所述栅极结构之间的距离大于所述尖端的横向延伸长度，且所述尖端与相邻的所述栅极结构之间的横向距离为27埃～33埃；以及，填充所述沟槽的锗硅外延层，所述锗硅外延层包括自下而上依次堆叠的缓冲层、主体层和盖帽层，所述缓冲层、所述主体层和所述盖帽层中掺杂有硼，且硼的浓度依次递减。通过控制所述尖端与所述栅极结构之间的横向距离以增加压应力，并减少锗硅外延层的硼的浓度以减少硼的扩散，实现在保证半导体结构性能的基础上解决漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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