[发明专利]一种光刻胶中氰离子的测定方法在审
| 申请号： | 202310770967.7 | 申请日： | 2023-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN116735751A | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 邹阅超;王轶滢 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01N30/02 | 分类号： | G01N30/02;G01N30/06;G01N30/54;G01N30/64 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 高燕 |
| 地址： | 200810 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种光刻胶中氰离子的测定方法，将光刻胶样品经过前处理获得提取液，再采用离子色谱‑安培检测法测定所述提取液中氰离子的含量，然后计算获得所述光刻胶样品中氰离子的含量。本发明中样品前处理步骤简单，且检出限低、精密度和准确度良好，可操作性强，对研究和评价光刻胶中的氰离子的含量有重要参考价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 胶中氰 离子 测定 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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