[发明专利]SiC MOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310737194.2 | 申请日： | 2023-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN116705836A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 彭虎;韩小朋 | 申请（专利权）人： | 苏州龙驰半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市高新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种SiC MOS器件的制备方法。SiC MOS器件的制备方法包括：在SiC外延片的表面覆设保护层，并在所述SiC外延片的栅极区域加工形成槽状结构，且使所述槽状结构的槽口位于所述保护层的表面，槽底位于所述SiC外延片内；在所述槽状结构的表面覆设掩膜，且使所述槽状结构的槽底露出；通过离子注入的方式将所述槽状结构的槽底与侧壁连接的拐角区域形成P+离子注入区；除去所述SiC外延片和所述P+离子注入区靠近所述槽底的一部分，以将所述槽状结构的深度由第一深度加工至第二深度，将所述p+离子注入区加工成选定形状。本发明可以提高SiC Trench MOS器件槽栅corner的击穿场强。 | ||
| 搜索关键词： | sic mos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州龙驰半导体科技有限公司，未经苏州龙驰半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310737194.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
