[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202310729043.2 | 申请日： | 2023-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN116825637A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李葱葱;吴旭升;武咏琴 | 申请（专利权）人： | 北京知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 樊文娜;刘荣娟 |
| 地址： | 100080 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成牺牲种子层和沟道种子层；在沟道种子层上形成分立的堆叠结构，且堆叠结构包括交替堆叠的牺牲层和沟道层；去除牺牲层的侧壁的部分区域，并在相应位置形成第二侧墙；去除堆叠结构间的部分沟道种子层以及部分牺牲种子层；在剩余牺牲种子层间的半导体衬底上形成延伸至沟道层下方的绝缘层，且剩余的沟道种子层暴露出部分绝缘层的表面；在堆叠结构间剩余的沟道种子层上以及暴露出的绝缘层上形成源漏，且源漏覆盖沟道层和第二侧墙的侧壁。所述半导体结构及其形成方法可以在不影响源漏外延生长的基础上，实现漏电通道的有效隔断，减小漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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