[发明专利]一种具有InN相分离抑制层的半导体激光器在审
| 申请号： | 202310709641.3 | 申请日： | 2023-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN116598893A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 李水清;请求不公布姓名;王星河;张江勇;蔡鑫;陈婉君 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139 | 代理人： | 林弘毅 |
| 地址： | 237000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有InN相分离抑制层的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，所述有源层与下波导层间具有InN相分离抑制层。通过设计上波导层、有源层、InN相分离抑制层和下波导层组成In/Al元素强度比例梯度，设计上波导层、有源层、InN相分离抑制层和下波导层组成Si/Mg浓度比例梯度和Si浓度下降角度，进一步抑制有源层的In偏析，降低非辐射复合，提升斜率效率和外量子效率以及光束质量因子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 inn 分离 抑制 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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