[发明专利]金属绝缘层半导体结构及其制造方法、图像传感器在审
| 申请号： | 202310707054.0 | 申请日： | 2023-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN116741754A | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 陈年域;施长治 | 申请（专利权）人： | 上海联影微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;H01L27/146;G01R31/26 |
| 代理公司： | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人： | 陈靖康 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及金属绝缘层半导体结构及其制造方法、图像传感器。该金属绝缘层半导体结构包括：半导体层；第一绝缘层，位于半导体层的一侧；第一金属层，位于第一绝缘层背向半导体层的一侧，包括第一图形、第二图形及第三图形，第一图形与半导体层电连接，第二图形与半导体层电性隔离，第一图形和第二图形具有相同的形状；第一贯穿结构，贯穿第一绝缘层和半导体层，与第一图形电连接；以及第二贯穿结构，贯穿第一绝缘层和半导体层，与第二图形电连接；第三图形与第一贯穿结构具有的第一距离和第三图形与第二贯穿结构具有的第二距离相同。该金属绝缘层半导体结构可实现精测精度高、矫正能力好、空间利用率高、易于制造等至少一个有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘 半导体 结构 及其 制造 方法 图像传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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