[发明专利]高纯铝硅铜靶坯的制备方法在审
| 申请号： | 202310693689.X | 申请日： | 2023-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN116815079A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 董小雨;黄宇彬;黄娟;童培云 | 申请（专利权）人： | 先导薄膜材料（安徽）有限公司 |
| 主分类号： | C22F1/043 | 分类号： | C22F1/043;C23C14/35;C21D9/00;B21J5/08;B21J1/06;B21B37/58 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 唐静 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥市新站区龙*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于金属加工技术领域，公开了一种高纯铝硅铜靶坯的制备方法，包括以下步骤：依次加热预处理、镦粗锻造、多向轧制、热处理高纯铝硅铜铸锭，得到高纯铝硅铜靶坯。通过上述方法处理得到的铸锭组织内部均匀、晶粒尺寸分布均匀、无裂纹。而且本发明提供的工艺流程简单、完成时间短、成本低，利于工业化推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 铝硅铜靶坯 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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