[发明专利]处理腔室的排放模块、处理腔室及其中处理基板的方法在审
申请号: | 202310683494.7 | 申请日: | 2018-01-12 |
公开(公告)号: | CN116845002A | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 尼科莱·尼科拉维奇·卡林;托安·Q·特兰;德米特里·卢博米尔斯基 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;C23C16/44;C23C16/455;H01J37/32;F16K51/02;H01L21/687;F16K5/12;C23C16/50;F04D27/00;C23C16/52;B01F35/71 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 此处公开用于基板处理设备的排放模块,具有主体、泵送环及对称流动阀。所述主体具有穿过所述主体形成的第一及第二真空泵开口。在所述主体中在所述第一及所述第二真空泵开口两者之上放置所述泵送环。所述泵送环包含具有顶部表面、底部表面及开口的实质环形主体。所述顶部表面具有在所述顶部表面中形成的一个或多个通孔,布置成与所述第一真空泵开口同心的图案。所述底部表面具有在所述底部表面中形成的流体通路,内部连接所述一个或多个通孔的每一个。在所述实质环形主体中形成所述开口,所述开口实质上与所述真空泵开口对齐。在所述主体中在所述泵送环之上放置所述对称流动阀,所述对称流动阀可在升高位置和降低位置之间移动。 | ||
搜索关键词: | 处理 排放 模块 其中 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造