[发明专利]DFN未切透不良品检测的治具及使用方法在审
| 申请号： | 202310662848.X | 申请日： | 2023-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN116884865A | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡远飞;王建国;黄泽军 | 申请（专利权）人： | 深圳市锐骏半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/687;H01L21/67;G01B5/00 |
| 代理公司： | 深圳市诺正鑫泽知识产权代理有限公司 44689 | 代理人： | 农丹 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于半导体不良品检测技术领域，公开了一种DFN未切透不良品检测的治具及使用方法，包括基座，所述基座设有用于DFN产品滑动的滑槽；所述滑槽一端的端口宽度设置为待测尺寸上限，另一端的端口宽度设置为待测尺寸下限。本发明通过在滑槽的两端端口分别设置待测尺寸上限和下限，操作者只需将DFN产品在滑槽内拨动，观察DFN产品是否能滑入待测尺寸上限，是否可以卡在上下限端口之间来判断产品是否合格，拨入过程滑槽宽度尺寸依次递减，直至与DFN产品尺寸相同后卡在，测量结束后再拨出，操作简单而且测量精度高，测量效率高，有效提高DFN产品的返工效率，提升返工良率，降低返工成本，提升产品竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | dfn 未切透 不良 检测 使用方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
