[发明专利]一种暴露特定晶面的亚纳米厚度多孔状四氧化三钴薄片及制备方法及应用在审
| 申请号： | 202310649668.8 | 申请日： | 2023-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN116768283A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 建艳飞;何炽;刘昱洁;徐赫 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04;B01J23/75;B01J35/02;B01J37/00;B01J37/10;B01D53/86;B01D53/72 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 安彦彦 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开一种暴露特定晶面的亚纳米厚度多孔状四氧化三钴薄片及制备方法及应用，向醇溶液中加入钴源，搅拌均匀后，在190‑220℃下水热反应48‑96h，得到暴露(111)晶面超薄CoO片；将暴露(111)晶面超薄CoO片加热即可。由于HOCH |
||
| 搜索关键词： | 一种 暴露 特定 纳米 厚度 多孔 氧化 薄片 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310649668.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
