[发明专利]一种提高碳化硅晶圆激光打标良率的方法在审
| 申请号： | 202310649427.3 | 申请日： | 2023-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN116532811A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 高建宁;陈晓伦;朱悦常;潘敏智 | 申请（专利权）人： | 乐山无线电股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/362 | 分类号： | B23K26/362;B23K26/60;B23K26/402;B08B3/00;B23K101/40 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 陈明龙 |
| 地址： | 614000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高碳化硅晶圆激光打标良率的方法，包括以下步骤：S1，激光打标前，在碳化硅晶圆的待打标面制备保护膜；保护膜由钨或二氧化硅组成；S2，在碳化硅晶圆的待打标面进行激光打标；S3，采用清洗液去除保护膜。本发明的保护膜将待打标面全部覆盖后保护起来，在激光打标时，保护膜能承受碳化硅气化碎屑的高温，飞溅的气化碎屑在冷却后，形成细微的碳化硅颗粒落在保护膜上；打标完成后，保护膜能采用清洗液简单去除而不损伤碳化硅材料，同时清洗液可以将落在保护膜上的碳化硅细微颗粒一起带走，从而不影响晶圆质量，避免了良率损失，提高了晶圆产品的良率，采用本发明的碳化硅晶圆激光打标，良率可以达到99％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 碳化硅 激光 打标良率 方法 | ||
【主权项】：
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