[发明专利]一种插层-剥离勃姆石制备二维纳米片的方法在审
| 申请号： | 202310629558.5 | 申请日： | 2023-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN116835620A | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 白鹏;赵振祥;吴萍萍;吴安;谢威龙;阎子峰 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（华东） |
| 主分类号： | C01F7/02 | 分类号： | C01F7/02;C01F7/021;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266580 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明涉及一种插层‑剥离勃姆石制备二维纳米片的方法，具有大孔容高比表面积的二维勃姆石技术领域，提供了一种低成本合成兼具大孔容高比表面积的二维勃姆石纳米片的方法。本发明以无机小分子对勃姆石进行插层，并削弱层间作用力，从而剥离出二维勃姆石纳米片层。所得纳米片增加了勃姆石的比表面积，而纳米片组装形成的孔道提升了勃姆石的孔体积。本发明提供的制备方法具有合成成本低、操作简单、采用工业原料合成、不使用任何有机模板剂、适合工业化生产等优势；本发明制备的二维勃姆石纳米片孔容高达2.43cm |
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| 搜索关键词： | 一种 剥离 勃姆石 制备 二维 纳米 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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